采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LFDE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO110N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LFDE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：55000，"10+"：140860}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4935NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3639pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LFDE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：490，"22+"：27416，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7470TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3430pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8051L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4466
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4496SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：493.5pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4496
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：55000，"10+"：140860}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4935NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3639pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E100AJTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.71W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
