采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9875-100A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP126，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP126，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9880-55A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9832-55A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1594pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2124K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：134mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@120mA，4.5V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KWHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98150-55A/CUF
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：5.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：137mΩ@5A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6661
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN1206L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9832-55A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1594pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
