采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON1606
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：275mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON1606
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：275mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
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栅极电荷：14nC@4.5V
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输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON1606
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：275mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
输入电容：476pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
功率：900mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON1606
导通电阻：275mΩ@400mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：700mA
功率：900mW
输入电容：62.5pF@10V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.85nC@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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