品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2328DS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.15A
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:730mW
栅极电荷:5nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFR110PBF
输入电容:180pF@25V
导通电阻:540mΩ@2.6A,10V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:2.5W€25W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101DC
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:14.5A€60A
输入电容:3135pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13
栅极电荷:21.4nC@10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:23mΩ@20A,10V
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6B05NT1G
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:3100pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.3W€138W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8mΩ@20A,10V
连续漏极电流:16A€104A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-BE3
输入电容:180pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
连续漏极电流:1.5A
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":41268}
规格型号(MPN):NTMFS6B14NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.1W€77W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:10A€50A
输入电容:1300pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@9A,10V
类型:N沟道
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A€43A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1470pF@50V
功率:5W€62.5W
导通电阻:17.4mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:10.9A€38.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
输入电容:210pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
栅极电荷:5nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
输入电容:632pF@50V
功率:3W
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":11880,"23+":10500}
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
栅极电荷:65nC@10V
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
类型:N沟道
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:4500pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF
输入电容:180pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
连续漏极电流:1.5A
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:7A€20A
输入电容:965pF@50V
阈值电压:4V@250µA
功率:2.3W€41W
导通电阻:24mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3
输入电容:180pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
连续漏极电流:1.5A
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-13
栅极电荷:4.6nC@10V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
输入电容:235pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
输入电容:632pF@50V
功率:3W
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
输入电容:2015pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
栅极电荷:37nC@10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
功率:26W
类型:N沟道
输入电容:360pF@50V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15.1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
规格型号(MPN):NTY100N10G
功率:313W
输入电容:10110pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:350nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:123A
包装方式:管件
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3000pF@50V
导通电阻:8mΩ@13A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:12.4A€60A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFR120PBF
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:360pF@25V
类型:N沟道
功率:2.5W€42W
包装方式:管件
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:7.7A
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86140
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W€5W
连续漏极电流:11.2A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:2580pF@50V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:9.8mΩ@11.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13
栅极电荷:21.4nC@10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:41.2A
导通电阻:23mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
栅极电荷:7.3nC@10V
功率:2.5W€31W
输入电容:402pF@50V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
导通电阻:56mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":950,"22+":685}
规格型号(MPN):FDMT800100DC
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
连续漏极电流:24A€162A
导通电阻:2.95mΩ@24A,10V
输入电容:7835pF@50V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":6500}
规格型号(MPN):FDD86102
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W€62W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8A€36A
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1035pF@50V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:24mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: