首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    工作温度
    类型
    阈值电压
    漏源电压
    包装方式
    行业应用
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    阈值电压: 4V@250µA
    漏源电压: 100V
    当前匹配商品:1300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:1.15A

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:730mW

    栅极电荷:5nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):IRFR110PBF

    输入电容:180pF@25V

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2.5W€25W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101DC

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.2W€125W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:14.5A€60A

    输入电容:3135pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B05NT1G 起订129个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B05NT1G 起订129个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6B05NT1G

    栅极电荷:44nC@10V

    输入电容:3100pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.3W€138W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:16A€104A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL110TR-BE3

    输入电容:180pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    连续漏极电流:1.5A

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B14NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B14NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":41268}

    规格型号(MPN):NTMFS6B14NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:10A€50A

    输入电容:1300pF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86160

    输入电容:1290pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    类型:N沟道

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:9A€43A

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1470pF@50V

    功率:5W€62.5W

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8601

    输入电容:210pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@2.7A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:1.6W

    栅极电荷:5nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    输入电容:632pF@50V

    功率:3W

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":11880,"23+":10500}

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    栅极电荷:65nC@10V

    连续漏极电流:17A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    类型:N沟道

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    输入电容:4500pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF

    输入电容:180pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    连续漏极电流:1.5A

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7A€20A

    输入电容:965pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2.3W€41W

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3

    输入电容:180pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    连续漏极电流:1.5A

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-13

    栅极电荷:4.6nC@10V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    输入电容:235pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    输入电容:632pF@50V

    功率:3W

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3672 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3672 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3672

    输入电容:2015pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:100V

    栅极电荷:37nC@10V

    连续漏极电流:7.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:57mΩ@5.5A,10V

    功率:26W

    类型:N沟道

    输入电容:360pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:15.1A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTY100N10G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTY100N10G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}

    规格型号(MPN):NTY100N10G

    功率:313W

    输入电容:10110pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:350nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:123A

    包装方式:管件

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86101 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86101 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    类型:N沟道

    栅极电荷:55nC@10V

    输入电容:3000pF@50V

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:12.4A€60A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):IRFR120PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:360pF@25V

    类型:N沟道

    功率:2.5W€42W

    包装方式:管件

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:7.7A

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86140 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86140 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86140

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.5W€5W

    连续漏极电流:11.2A

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:2580pF@50V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    漏源电压:100V

    导通电阻:9.8mΩ@11.2A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:41.2A

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    栅极电荷:7.3nC@10V

    功率:2.5W€31W

    输入电容:402pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:100V

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":950,"22+":685}

    规格型号(MPN):FDMT800100DC

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:111nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.2W€156W

    连续漏极电流:24A€162A

    导通电阻:2.95mΩ@24A,10V

    输入电容:7835pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":6500}

    规格型号(MPN):FDD86102

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.1W€62W

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:1035pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧