品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7150pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1873pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1873pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:582pF@15V
连续漏极电流:18A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1873pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:54.3W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:0.96mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA74DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€46.2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:24A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA468DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@15V
连续漏极电流:37.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.7W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1656pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2683pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA74DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€46.2W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:24A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:3.99mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7422G
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,235
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6204
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@15V
连续漏极电流:14A€24A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:31.7A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: