采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA80DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA80DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
