销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4003NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:1.56W€2.8W
连续漏极电流:3.9A€3.9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3400A-TP
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:5.8A
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:32mΩ@5.8A,10V
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.34nC@4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:390pF@15V
导通电阻:55mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3402-TP
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.34nC@4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:390pF@15V
导通电阻:55mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3402L-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:52mΩ@4A,10V
输入电容:464pF@15V
栅极电荷:11.7nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3053L-7
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:676pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
导通电阻:45mΩ@4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
功率:2.8W
连续漏极电流:3.9A
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:432pF@15V
功率:480mW
栅极电荷:4.76nC@4.5V
连续漏极电流:2.4A
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:2.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:2.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042L-7
功率:720mW
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:860pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3402LQ-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:52mΩ@4A,10V
输入电容:464pF@15V
栅极电荷:11.7nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:2.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: