品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"03+":275,"04+":61572,"12+":361}
规格型号(MPN):FDG311N
连续漏极电流:1.9A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@1.9A,4.5V
栅极电荷:4.5nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:750mW
ECCN:EAR99
输入电容:270pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA40DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:43.7A€162A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.1mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
类型:N沟道
连续漏极电流:6.9A
输入电容:1149pF@10V
栅极电荷:11.6nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:5125pF@10V
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
栅极电荷:133nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
类型:N沟道
连续漏极电流:6.9A
输入电容:1149pF@10V
栅极电荷:11.6nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:950mW
输入电容:277pF@10V
栅极电荷:2.8nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8425
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:1098pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:4.9A
栅极电荷:4.8nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:452pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:8130pF@10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:97nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA
功率:960mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.8nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:4.1A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:452pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:4.9A
栅极电荷:4.8nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:452pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA
功率:960mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.8nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:4.1A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:452pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":62500}
规格型号(MPN):NDS8425
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:1098pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:5125pF@10V
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
栅极电荷:133nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.2W
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:856pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
栅极电荷:5nC@4.5V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN339AN
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
输入电容:700pF@10V
功率:500mW
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN339AN
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
输入电容:700pF@10V
功率:500mW
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: