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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N 起订1764个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N 起订1764个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"03+":275,"04+":61572,"12+":361}

    规格型号(MPN):FDG311N

    连续漏极电流:1.9A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@1.9A,4.5V

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:750mW

    ECCN:EAR99

    输入电容:270pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    连续漏极电流:6.1A

    输入电容:600pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA40DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA40DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA40DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:43.7A€162A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.1mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.9A

    输入电容:1149pF@10V

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637AN

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1125pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:50.2A€177A

    功率:5W€62.5W

    输入电容:3415pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    连续漏极电流:6.1A

    输入电容:600pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637AN

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1125pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:5125pF@10V

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    栅极电荷:133nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.9A

    输入电容:1149pF@10V

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F34FHTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F34FHTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA

    连续漏极电流:3.4A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:950mW

    输入电容:277pF@10V

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS8425 起订442个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS8425 起订442个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS8425

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:18nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:1098pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3

    连续漏极电流:12.5A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:27nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:50.2A€177A

    功率:5W€62.5W

    输入电容:3415pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.9A

    栅极电荷:4.8nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:452pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:50.2A€177A

    功率:5W€62.5W

    输入电容:3415pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3

    连续漏极电流:12.5A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:27nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:8130pF@10V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.6mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:97nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    功率:960mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.1A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:452pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.9A

    栅极电荷:4.8nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:452pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:50.2A€177A

    功率:5W€62.5W

    输入电容:3415pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    连续漏极电流:6.1A

    输入电容:600pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    功率:960mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.1A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:452pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    连续漏极电流:6.1A

    输入电容:600pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS8425 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS8425 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":62500}

    规格型号(MPN):NDS8425

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:18nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1098pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:5125pF@10V

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    栅极电荷:133nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UVT-7

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    连续漏极电流:6.2A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:856pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:310pF@10V

    栅极电荷:5nC@4.5V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN 起订2324个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN 起订2324个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN339AN

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3A

    输入电容:700pF@10V

    功率:500mW

    导通电阻:35mΩ@3A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN339AN

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3A

    输入电容:700pF@10V

    功率:500mW

    导通电阻:35mΩ@3A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

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