采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：34500，"17+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：100，"05+"：181600，"08+"：346，"11+"：1000，"12+"：47030，"15+"：5000，"9999"：20，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2626，"17+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：100，"05+"：181600，"08+"：346，"11+"：1000，"12+"：47030，"15+"：5000，"9999"：20，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2626，"17+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：34500，"17+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：31125，"17+"：1650}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2626，"17+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：34500，"17+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：31125，"17+"：1650}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：34500，"17+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
