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    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    栅极电荷: 6nC@10V
    当前匹配商品:200+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:251pF@50V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@20V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3442 起订23个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3442 起订23个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3442

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.9V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@50V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:630mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU95R3K7P7AKMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU95R3K7P7AKMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU95R3K7P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R2K0CEBKMA1 起订2778个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R2K0CEBKMA1 起订2778个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":32575,"14+":10500,"9999":1033}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU50R2K0CEBKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:124pF@100V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@600mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86113LZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86113LZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86113LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€29W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@50V

    连续漏极电流:4.2A€5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R2K0CEAKMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R2K0CEAKMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":22500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU50R2K0CEAKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:124pF@100V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@600mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86116LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86116LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86116LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:103mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU95R3K7P7AKMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU95R3K7P7AKMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU95R3K7P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3442 起订28个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3442 起订28个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3442

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.9V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@50V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:630mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3442 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3442 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3442

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@50V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:630mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86116LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86116LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86116LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:103mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86116LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86116LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86116LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:103mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86116LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86116LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86116LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:103mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDU6N25 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDU6N25 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDU6N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDU6N25 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDU6N25 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDU6N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@20V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65UNER 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65UNER 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65UNER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:251pF@50V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65UNER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65UNER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65UNER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:251pF@50V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC86244 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC86244 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC86244

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@75V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:144mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC86244 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC86244 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC86244

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@75V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:144mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC86244 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC86244 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC86244

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@75V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:144mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC86244 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC86244 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC86244

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@75V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:144mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@20V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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