采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT19F100J
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8500pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT47N60BC3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.9V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7015pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@30A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT38F80B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8070pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@20A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT38F80B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8070pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@20A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT38F80B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8070pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@20A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT38F80B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8070pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@20A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT47N60BC3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
类型：N沟道
栅极电荷：260nC@10V
输入电容：7015pF@25V
导通电阻：70mΩ@30A，10V
连续漏极电流：47A
阈值电压：3.9V@2.7mA
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
阈值电压：4.5V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：260nC@10V
连续漏极电流：110A
包装方式：管件
功率：600W
导通电阻：18mΩ@55A，10V
输入电容：10500pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：260nC@10V
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：19600pF@40V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT24M120B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8370pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@12A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT29F100B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT77N60BC6
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：3.6V@2.96mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@44.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
