采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7292
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€28W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@50V
连续漏极电流：9A€23A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC160N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@50V
连续漏极电流：8.8A€42A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R180P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ034N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€52W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2582
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：67500，"23+"：2500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04N60C3BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ034N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€52W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R180P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ160N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：3.5V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7414DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@40V
连续漏极电流：11A€55A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@33A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ034N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7414DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2610E
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€59.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：19A€46A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：99988}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€66W
阈值电压：3.5V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@40V
连续漏极电流：11A€55A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@33A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：284431，"11+"：2622，"12+"：12500，"16+"：144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@25V
连续漏极电流：22.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7292
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€28W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@50V
连续漏极电流：9A€23A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
