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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：38.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：38.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：38.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：38.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：15.3A€38.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：38.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：611pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：38.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
