销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3

阈值电压：2V@250µA

功率：1.56W

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

导通电阻：50mΩ@5A，10V

类型：N沟道

连续漏极电流：3.5A

漏源电压：150V

栅极电荷：36nC@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA400EDJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

功率：19.2W

类型：N沟道

连续漏极电流：12A

栅极电荷：36nC@10V

输入电容：1265pF@15V

阈值电压：1.5V@250µA

ECCN：EAR99

导通电阻：19mΩ@11A，4.5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：IRF740ALPBF

连续漏极电流：10A

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.1W€125W

类型：N沟道

导通电阻：550mΩ@6A，10V

栅极电荷：36nC@10V

输入电容：1030pF@25V

包装方式：管件

阈值电压：4V@250µA

漏源电压：400V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：IRF740APBF

连续漏极电流：10A

工作温度：-55℃~150℃

类型：N沟道

导通电阻：550mΩ@6A，10V

栅极电荷：36nC@10V

输入电容：1030pF@25V

功率：125W

包装方式：管件

阈值电压：4V@250µA

漏源电压：400V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：IRF740APBF

连续漏极电流：10A

工作温度：-55℃~150℃

类型：N沟道

导通电阻：550mΩ@6A，10V

栅极电荷：36nC@10V

输入电容：1030pF@25V

功率：125W

包装方式：管件

阈值电压：4V@250µA

漏源电压：400V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3

阈值电压：4.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：4A

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.9W

导通电阻：50mΩ@5A，10V

类型：N沟道

漏源电压：150V

栅极电荷：36nC@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：2.4V@250µA

类型：N沟道

栅极电荷：36nC@10V

连续漏极电流：60A

导通电阻：3.5mΩ@10A，10V

功率：43W

输入电容：1873pF@15V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-GE3

阈值电压：4.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：4A

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.9W

导通电阻：50mΩ@5A，10V

类型：N沟道

漏源电压：150V

栅极电荷：36nC@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3

阈值电压：4.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：4A

工作温度：-55℃~150℃

类型：N沟道

漏源电压：150V

栅极电荷：36nC@10V

功率：1.9W

导通电阻：50mΩ@5A，10V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€65.7W

类型：N沟道

漏源电压：80V

导通电阻：7.3mΩ@10A，10V

栅极电荷：36nC@10V

阈值电压：3.6V@250µA

输入电容：1520pF@40V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：43W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1873pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：43W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1873pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA400EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：19.2W

阈值电压：1.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1265pF@15V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：19mΩ@11A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.9W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：4A

类型：N沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：43W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1873pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€65.7W

阈值电压：3.6V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1520pF@40V

类型：N沟道

导通电阻：7.3mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€65.7W

阈值电压：3.6V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1520pF@40V

类型：N沟道

导通电阻：7.3mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA400EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：19.2W

阈值电压：1.5V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1265pF@15V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：19mΩ@11A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€65.7W

阈值电压：3.6V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1520pF@40V

类型：N沟道

导通电阻：7.3mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF740APBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1030pF@25V

连续漏极电流：10A

类型：N沟道

导通电阻：550mΩ@6A，10V

漏源电压：400V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.56W

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：3.5A

类型：N-Channel

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA400EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：19.2W

阈值电压：1.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1265pF@15V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：19mΩ@11A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€65.7W

阈值电压：3.6V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1520pF@40V

类型：N沟道

导通电阻：7.3mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.56W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：3.5A

类型：N-Channel

导通电阻：50mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.56W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：3.5A

类型：N-Channel

导通电阻：50mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.9W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：4A

类型：N-Channel

导通电阻：50mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：43W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1873pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.9W

阈值电压：4.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：4A

类型：N沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF740APBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1030pF@25V

连续漏极电流：10A

类型：N沟道

导通电阻：550mΩ@6A，10V

漏源电压：400V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.9W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：4A

类型：N沟道

导通电阻：50mΩ@5A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1