品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5070pF@20V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
栅极电荷:33nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5070pF@20V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
栅极电荷:33nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5070pF@20V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
栅极电荷:33nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: