采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX6008NBKWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW€1.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@30V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@300mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：6102500，"18+"：119008}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3190NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15.8pF@15V
连续漏极电流：224mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@350mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3193NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15.8pF@15V
连续漏极电流：224mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3193NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15.8pF@15V
连续漏极电流：224mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@350mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX5008NBKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：29pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2V7002KT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
