采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFDQ-7
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：900mA
漏源电压：20V
栅极电荷：0.5nC@4.5V
输入电容：37pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
输入电容：31pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2Ω@100mA，4V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：1V@250µA
功率：480mW
连续漏极电流：310mA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
输入电容：31pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2Ω@100mA，4V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：1V@250µA
功率：480mW
连续漏极电流：310mA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
输入电容：27.6pF@16V
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：380mW
漏源电压：60V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：32pF@30V
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
栅极电荷：0.5nC@4.5V
连续漏极电流：380mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：380mW
漏源电压：60V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：32pF@30V
ECCN：EAR99
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
栅极电荷：0.5nC@4.5V
连续漏极电流：380mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
输入电容：27.6pF@16V
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UWQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：340mA
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UW-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：32pF@30V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：340mA
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
输入电容：27.6pF@16V
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFZ-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.2pF@16V
连续漏极电流：0.25A
类型：N-Channel
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFDQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFDQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFDQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
