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    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
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    当前匹配商品:4600+
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ060NE2LS 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ060NE2LS 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ060NE2LS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€26W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@12V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6007LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€78W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@12V

    连续漏极电流:22A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB11EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€160W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@30V

    连续漏极电流:35A€250A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":25772}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€43W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ014NE2LS5IFATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ014NE2LS5IFATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ014NE2LS5IFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@12V

    连续漏极电流:31A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ011NE2LS5IATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ011NE2LS5IATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ011NE2LS5IATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@12V

    连续漏极电流:35A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3430DV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3430DV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3430DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0500NSIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0500NSIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€160W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@30V

    连续漏极电流:35A€250A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1 起订1267个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1 起订1267个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":260,"22+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5453pF@12V

    连续漏极电流:41A€298A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032N04LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032N04LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:21A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10180pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.02W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6500 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6500 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6500

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7036pF@15V

    连续漏极电流:71A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB11EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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