品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@340µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C05NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC53N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@30V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3527,"20+":1494,"21+":9184}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC53N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@30V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R125CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C05NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":398,"10+":1670,"13+":1100,"19+":11200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4937NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€43W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2516pF@15V
连续漏极电流:10.2A€70A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3860
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1740pF@50V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3860
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1740pF@50V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R145CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3527,"20+":1494,"21+":9184}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8324TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:2.35V@50µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@10V
连续漏极电流:23A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC53N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@30V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: