品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@15V
连续漏极电流:51.1A€185.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.06Ω@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2954pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6370pF@30V
连续漏极电流:18.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3338,"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2954pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":206685,"23+":29619,"MI+":50000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@15V
连续漏极电流:51.1A€185.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.06Ω@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: