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    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
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    当前匹配商品:1000+
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    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD600N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4.5V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD11N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB070N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@4.4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3090pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订500个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订500个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R110CFDATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R110CFDATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R110CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:277.8W

    阈值电压:4.5V@1.3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@100V

    连续漏极电流:31.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@12.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB070N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@4.4mA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3090pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R065C7ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R065C7ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:171W

    阈值电压:4.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@400V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@17.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB260N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5 起订1个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5 起订1个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL10N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL10N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL10N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB150N65S3F 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB150N65S3F 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB150N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@540µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1999pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R380E6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R380E6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT180N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT180N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT180N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4.5V@1.8mA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@400V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB070N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@4.4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3090pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN190-650FBEZ 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN190-650FBEZ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@12.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:96pF@400V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.9A,6V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB150N65S3HF 起订131个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB150N65S3HF 起订131个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":154}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB150N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@540µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1985pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H480G4JSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H480G4JSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:13.2W

    阈值电压:2.8V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.4A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.9V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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