品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@200µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":130000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7495TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1530pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7495TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1530pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501VNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:556mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@6V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501VNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:556mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@6V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R600E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R600E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7495TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1530pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500,"13+":31500,"18+":2089,"19+":4941,"20+":1800,"22+":5000,"MI+":2528}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R600E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500,"13+":31500,"18+":2089,"19+":4941,"20+":1800,"22+":5000,"MI+":2528}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R600E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R600E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7201TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: