采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16407Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2660pF@12.5V
连续漏极电流：31A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4354
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4296
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@50V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@13.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16321Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@12.5V
连续漏极电流：31A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5729}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7914TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@15V
连续漏极电流：15A€35A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2305pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4466
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32368
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4496
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOH3106
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16403Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2660pF@12.5V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4404B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1825
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2305pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4492
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4496
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
