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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A02X8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：26.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
