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    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1.1V@250µA
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:600+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KE-TP 起订7个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KE-TP 起订7个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KE-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@650mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:45.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1779pF@10V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCMN2014HE3-TP 起订5个装
    MCC Mosfet场效应管 MCMN2014HE3-TP 起订5个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCMN2014HE3-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1791pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,8V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订21个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订21个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17484F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16340Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C16NTAG 起订1530个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C16NTAG 起订1530个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2469}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4C16NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.37W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@15V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKMB,315 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKMB,315 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKMB,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:530mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 NX3008NBKT,115 起订4488个装
    NXP Mosfet场效应管 NX3008NBKT,115 起订4488个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":195103}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKT,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW€770mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG301NU-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订90个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订90个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG301NU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBK,215 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBK,215 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBK,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€1.14W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16342Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16342Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16342Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKMB,315 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKMB,315 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKMB,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:530mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115 起订300个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115 起订300个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KWA-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KWA-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KWA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订14个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订14个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17483F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG301NU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBK,215 起订98个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBK,215 起订98个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBK,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€1.14W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16342Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16342Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16342Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17484F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:45.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1779pF@10V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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