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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB033N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU90N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5170pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB033N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB033N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.1V@150µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB033N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB033N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.1V@150µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU90N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5170pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU90N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5170pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB033N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：405W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2035pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU90N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5170pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB033N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU90N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5170pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
