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    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:13A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB260N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6414AL 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6414AL 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6414AL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:13A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:11A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:13A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订19个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订19个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:36.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订66个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订66个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4468

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订18个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订18个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4468

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R450P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R450P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R450P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73W

    阈值电压:3.5V@220µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@500V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订56个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订56个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4468

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7698 起订1281个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7698 起订1281个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":101,"22+":1000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7698

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€29W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@15V

    连续漏极电流:13.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@35V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4468

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7400A 起订20个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7400A 起订20个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:13A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7400A 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7400A 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180C7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180C7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R180C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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