销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD360N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1143pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6,5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:2.63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:102pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:212W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB4N80TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€130W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R900P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@110µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:101W
阈值电压:3.5V@360µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@500V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB4N80TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€130W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:101W
阈值电压:3.5V@360µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@500V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:101W
阈值电压:3.5V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@500V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: