品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1223
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60ZL
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60ZL
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDDL01N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60ZL
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: