销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: