销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
功率:30W
连续漏极电流:1A
漏源电压:600V
输入电容:156pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: