首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    工作温度
    类型
    包装方式
    漏源电压
    80V
    行业应用
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 80V
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6119pF@40V

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6119pF@40V

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6119pF@40V

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6119pF@40V

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6119pF@40V

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB95ENEAX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB95ENEAX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB95ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€15.6W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:504pF@40V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC117N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC117N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC117N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:49A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:16A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6119pF@40V

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM089N08LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6119pF@40V

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@40V

    连续漏极电流:35.8A€146A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC117N08NS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC117N08NS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC117N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:49A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB360ENEAZ 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB360ENEAZ 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB360ENEAZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€6.25W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@40V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC025N08LS5ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC025N08LS5ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC025N08LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€156W

    阈值电压:2.3V@115µA

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    强茂 Mosfet场效应管 PSMB055N08NS1_R2_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PSMB055N08NS1_R2_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMB055N08NS1_R2_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113.6W

    阈值电压:3.75V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@7V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4773pF@40V

    连续漏极电流:108A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7280

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W€83W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€300W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:147nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@40V

    连续漏极电流:41A€335A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86320

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.5V@73µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86324

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@40V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N08NS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4896DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧