采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002NH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26µA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26µA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138AKAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€1.06W
阈值电压：1.5V@250mA
栅极电荷：0.51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002NH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN1509K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@200mA，0V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138AKAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€1.06W
阈值电压：1.5V@250mA
栅极电荷：0.51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NMSD200B01-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NMSD200B01-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
