采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM024NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4224pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：497，"MI+"：2015}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM024NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4224pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
