品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06TK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2106K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2106K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: