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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：75000，"22+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
