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    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 29A€100A
    当前匹配商品:90+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1 起订673个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1 起订673个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3950,"22+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLH5034TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.5V@150µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订719个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订719个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3950,"22+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17305Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17305Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17305Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€113W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLH5034TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.5V@150µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€113W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLH5034TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.5V@150µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLH5034TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.5V@150µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€113W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17305Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17305Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17305Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€113W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€113W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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