采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7898DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7898DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7898DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：33686}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7628
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13306W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2385pF@6V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7898DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7898DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
