品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2nF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3030LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:751pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A€62A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3115UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4119NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@24V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A€62A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":850,"08+":378,"10+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3010LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2075pF@15V
连续漏极电流:11A€30A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2nF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3024SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:479pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3010LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2075pF@15V
连续漏极电流:11A€30A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3023L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:18.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:873pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: