首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 50W
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ12DN20NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ12DN20NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ12DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@25µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订772个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订772个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":76,"21+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订772个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订772个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":45984,"24+":27166}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3BTMA1 起订107个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3BTMA1 起订107个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":67500,"23+":2500,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N60C3BTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC12DN20NS3GATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC12DN20NS3GATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC12DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订1500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订1500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6382

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.85mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC12DN20NS3GATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC12DN20NS3GATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC12DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6382

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.85mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC12DN20NS3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC12DN20NS3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC12DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6382

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.85mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订10000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订10000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ12DN20NS3GATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ12DN20NS3GATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ12DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@25µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@200µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@200µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N08NS5ATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.8V@22µA

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@40V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@200µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3NM60N 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD3NM60N 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧