品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD19N10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:15.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":5486,"12+":162000,"16+":147000,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@15V
连续漏极电流:14A€35A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@15V
连续漏极电流:14A€35A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC059N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@20V
连续漏极电流:16A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@23µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:18A€80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD19N10LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:15.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC059N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@20V
连续漏极电流:16A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2782}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0309AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:21A€49A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD19N10LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:15.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0308AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:24A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":5486,"12+":162000,"16+":147000,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@15V
连续漏极电流:14A€35A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC015NE2LS5IATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@12V
连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: