品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":0}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N25CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:8.8A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):445psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":2620,"23+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":2620,"23+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":2620,"23+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":734}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:285mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: