品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF360A70L
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF360A70L
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N600CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:743pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N600CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:743pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF360A70L
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N380CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:981pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N380CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:981pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF360A70L
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
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品牌:Taiwan Semiconductor
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N380CH C5G
输入电容:981pF@100V
导通电阻:380mΩ@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
漏源电压:700V
功率:125W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18.8nC@10V
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品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):AOTF360A70L
功率:29.5W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:700V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
导通电阻:360mΩ@6A,10V
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品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF360A70L
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):AOTF360A70L
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF360A70L
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
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