品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2063pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:147mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2063pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:147mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":365}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2063pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:147mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N-F102
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2063pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:147mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2063pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:147mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: