品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX24N100Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@12A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3405pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:112mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR24N100Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7200pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@12A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@16A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@16A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@16A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4949}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4949}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3405pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:112mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP254PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@14A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4949}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: