采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
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功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP13NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
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功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
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功率：50W
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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连续漏极电流：11A
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导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
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阈值电压：5V@250µA
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
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