品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":240}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R070P6FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4.5V@1.72mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4750pF@100V
连续漏极电流:53.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@20.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H015G5WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.8V@2mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5218pF@400V
连续漏极电流:93A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@60A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA69N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:480W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@34.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH64N10L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3620pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA69N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:480W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@34.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA69N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:480W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@34.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH64N10L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3620pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":240}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R070P6FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4.5V@1.72mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4750pF@100V
连续漏极电流:53.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@20.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R070P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4.5V@1.72mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4750pF@100V
连续漏极电流:53.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@20.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP35N15G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H015G5WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.8V@2mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5218pF@400V
连续漏极电流:93A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@60A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H015G5WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.8V@2mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5218pF@400V
连续漏极电流:93A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@60A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R070P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4.5V@1.72mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4750pF@100V
连续漏极电流:53.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@20.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MICROSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT6017LFLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@17.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA64N10L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3620pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP35N15G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP35N15G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA69N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:480W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@34.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MICROSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT6017LFLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@17.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R070P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4.5V@1.72mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4750pF@100V
连续漏极电流:53.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@20.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H015G5WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.8V@2mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5218pF@400V
连续漏极电流:93A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@60A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: