采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75M50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：290nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11600pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@37A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB11N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@6.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB13N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1910pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5NK50ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF820PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP3N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
栅极电荷：40nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1070pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
漏源电压：500V
阈值电压：4.5V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
功率：89W
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG14N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1144pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ40N50L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：540W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ALPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP21N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT14N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2297pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP50R190CEXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：127W
阈值电压：3.5V@510µA
栅极电荷：47.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1137pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：146849，"16+"：16500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU50R950CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA08N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：4.6Ω@400mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP25N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG25N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
