品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH18N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH18N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5.5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH18N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH18N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH18N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5.5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:0724
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH80N20Q
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:4V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:0724
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH80N20Q
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:4V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:0724
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH80N20Q
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:4V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N65DM2AG
功率:360W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
栅极电荷:88nC@10V
导通电阻:65mΩ@24A,10V
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N60DM2AG
功率:360W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
漏源电压:600V
栅极电荷:90nC@10V
输入电容:4100pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW58N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH18N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: