首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    工作温度
    类型
    包装方式
    行业应用
    漏源电压
    连续漏极电流
    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    包装方式: 管件
    当前匹配商品:20+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005LCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005LCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H005LCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:187W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3688pF@50V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:37.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005LCT 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005LCT 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H005LCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:187W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3688pF@50V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN95H8D5HCTI 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN95H8D5HCTI 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN95H8D5HCTI

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7Ω@1A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LJ3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€83.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:74.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LJ3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€83.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:74.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LJ3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€83.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:74.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LJ3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€83.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:74.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LJ3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€83.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:74.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4005SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4005SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4005SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LJ3 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LJ3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€83.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:74.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:37.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:37.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:37.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:37.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LCT 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):DMT6009LCT

    功率:2.2W€25W

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:37.2A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:管件

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    导通电阻:12mΩ@13.5A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧